QLC闪存真的那么不堪？

2025-06-02 19:34:11 世界杯冠军最多

人们的日常生活已经离不开闪存，优盘、固态硬盘SSD，甚至手机里都有各种容量的闪存颗粒存放着您的重要信息。

闪存技术的发展，在经历了SLC、MLC、TLC的"技术降级"之后，全球消费者无奈的只能接受QLC时代的到来。闪存SLC、MLC、TLC、QLC的降级之路，也充分体现出了资本的贪婪。

那么，问题来了，QLC时代，您的数据还安全吗？

SLC、MLC、TLC和QLC是闪存的不同类型，区别如下：

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上），约10万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般，寿命一般，价格一般，约3千—1万次擦写寿命。

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命。

QLC = Quad-Level Cell，即4bit/cell，容量增加，成本降低，但擦写寿命会再次减少。

怎么理解这些技术变化？可以举个简单的例子，把闪存当成大学生宿舍，SLC闪存相当于一个宿舍住2人，所以成本高，但居住环境宽松，相互干扰小，适合学神；MLC闪存相当于一个宿舍住4个人，比较拥挤了，但上下铺还说得过去，比较适合学霸；TLC闪存相当于一个宿舍住8个人，普通人住也凑合了；但QLC则是一个宿舍住16个人，即便是学渣住着也显得拥挤了。

用户恐惧QLC闪存的首要原因，毫无疑问是它的寿命。但我们真的需要对它过分担忧吗？

假设QLC闪存的写入寿命是300次，你每天写入120G的数据，一款512G的SSD理论上可以使用：512G x 300次 ÷365天 ÷ 120G≈ 3.5年，当然，实际使用中的写入数据情况因人而异，但随着技术的进步和主控纠错能力的不断加强，其寿命仍然值得期待。

随着写入次数(P/E次数)的增加， 闪存使用的场效应管绝缘层越来越薄，电子透过绝缘层自己偷偷开溜的可能性就越大，所以寿命会降低。但即使你P/E了多次之后，绝缘层还是在的，只是束缚电子的能力减弱了，以前电子半年都能被束缚跑不出来，现在也许10天就能跑出来了。再到后来，可能关个一两天就跑出来了。比如你昨天存进去的一个文件，今天打开就提示文件损坏，但如果你半夜就去打开呢？此时文件可能还能读出来。

这给了我们一个启发，在多次P/E后的SSD硬盘后期，只要赶在电子还没跑出来之前，就再P/E一次，SSD硬盘就可以一直用下去，直到绝缘层被彻底击穿的那天。原来提高SSD寿命的，竟然还是P/E！真是成也萧何，败也萧何。返回搜狐，查看更多